Samsung SSD 120 ГБ 250 500 750 EVO внутренний твердотельный диск SATAIII SATA 3 для ноутбуков

Samsung SSD 120 ГБ 250 500 750 EVO внутренний твердотельный диск SATAIII SATA 3 для ноутбуков

750EVO детали

Технические характеристики
 Емкость: 120 г/250 г/500 г(фактическая Полезная емкость может быть меньше , Из-за форматирование, разбиения, операционной системы, приложений или в противном случае) 

Интерфейс: 2.5 'SATA3 6 ГБ/сек. (совместимый с SATA2, SATA1)
Размер (ШхВхГ): 100x69.85x6.8 мм
Уайт: около 45 г
Контроллер: Samsung 3 атомных MEx контроллер
NAND: Samsung NAND
Противоударный: не работает: 1500 г, 0.5 мс, 3 оси
Шок: не работает: 20 ~ 2000 Гц, 20 г
DRAM кэш: 256 МБ DDR3 (120 г), 256 МБ DDR3 (250 г)    

Поддержка
Trim (Поддержка операционной системы), сбора мусора, S.M.A.R.T

Специальная спецификация
AES, 256 Полный Шифрование (FDE)
TCG/опал V2.0, зашифрованные диски (IEEE1667)

Спектакли скорость (атто)
120 г Скорость (атто):
Скорость последовательной записи: до 540 МБ/с.
Скорость последовательной записи: до 520 МБ/с.
4KB (QD32) Чтение: до 94000 IOPS
4кб QD32 запись: до 88000 IOPS
4KB (QD1) Чтение: до 10000 IOPS
4KB (QD1) Запись: до 35000 IOPS 
250 г Скорость (атто):
Последовательный скорость чтения: до 540 МБ/с.
Скорость последовательной записи: до 480 МБ/с.
4KB (QD32) Чтение: до 97000 IOPS
4кб QD32 запись: до 88000 IOPS
4KB (QD1) Чтение: до 10000 IOPS
4KB (QD1) Запись: до 35000 IOPS 

500 г Скорость (атто):

Последовательный скорость чтения: до 540 МБ/с.

Скорость последовательной записи: до 520 МБ/с.

4KB (QD32) Чтение: до 94000 IOPS

4кб QD32 запись: до 88000 IOPS

4KB (QD1) Чтение: до 10000 IOPS

4KB (QD1) Запись: до 35000 IOPS 

Окружающей среды

Надежность: Средняя наработка на отказ: 1,500,000
Рабочая температура: операции: 0degree-75degree нет:-40degree-85degree
 

Гарантия

3 года ограниченной гарантии

Динамическая нагрузка (в среднем): до 2.4 Вт
Динамические записи (в среднем): до 2.8 Вт
Idle: до 50 МВт
Оборудование покоя: 5 МВт